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2SK3018-TPC3216X7R1E475KT000N、CL31B475KAHNNNE、CL31B475KAHNFNE 的区别

2SK3018-TP

制造商:MCC

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C3216X7R1E475KT000N

制造商:TDK

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CL31B475KAHNNNE

制造商:Samsung

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CL31B475KAHNFNE

制造商:Samsung

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ECCN编码
阈值电压1.5V@100µA---
栅极电荷(Qg)----
FET功能----
封装/外壳SOT-323120612061206
工作温度-55℃~+150℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃
连续漏极电流100mA---
漏源电压(Vdss)30V---
包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
配置单路---
晶体管类型N沟道---
安装类型SMTSMTSMTSMT
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)8欧姆@10mA,4V---
原产国家AmericaJapanKorea-
功率耗散200mW---
输入电容13pF@5V---
高度1.10mm1.60mm1.80mm1.80mm
引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
元件生命周期ActiveActiveActive-
是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYes-
栅极源极击穿电压±20V---
击穿电压30V---
反向传输电容Crss4pF---
技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
原始制造商Micro Commercial ComponentsTDK CorporationSamsung Electro-Mechanics-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
品牌MCCTDKSamsungSamsung
系列-CCLCL
最小包装3000pcs2000pcs2000pcs4000pcs
零件状态在售ActiveActive-
极性N-沟道---
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V---
长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm3.20 x 1.60mm3.20 x 1.60mm3.20 x 1.60mm
制造商标准提前期8 周---
额定功率200mW---
类型N沟道---
特性--OriginalOriginal
应用领域-Automotive ElectronicsGeneral-
成分-Ceramic--
额定电压-25V25V25V
等级-工业级--
精度-±10%±10%±10%
容值-4.7μF4.7μF4.7μF
认证信息-RoHSRoHS-
电介质-X7RX7RX7R
温度系数Tf-±15%±15%-
存储温度--55℃~+125℃--
卷盘尺寸-Φ180mm--
脚间距--2.70mm-
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