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GBJ5010MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别

GBJ5010

制造商:YANGJIE

最优价格:¥4.13400

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MMBT5551LT3G

制造商:ON

最优价格:¥0.12430

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MMBT5551-TP

制造商:MCC

最优价格:¥0.07280

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MMBT5551_R1_00001

制造商:PANJIT

最优价格:¥0.10081

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ECCN编码
正向压降VF1V@25A---
包装Tube packingTape/reelTape/reel-
封装/外壳DB-30X4.6MM_TMSOT-23SOT-23SOT-23
安装类型插件SMTSMTSMT
工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
平均整流电流5.2A---
反向漏电流IR5μA---
反向峰值电压(最大值)1KV---
反向耐压VR1KV---
长x宽/尺寸30.30 x 4.80mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
是否无铅NoYesYesYes
原产国家ChinaAmericaAmericaChina Taiwan
高度24.50mm1.11mm1.00mm1.10mm
零件状态ActiveActiveActiveActive
品牌YJONMCCPANJIT
元件生命周期Active-ActiveActive
最小包装15pcs10000pcs3000pcs-
引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
Ifsm - 正向浪涌峰值电流450A---
原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.ON SemiconductorMicro Commercial Components-
正向压降VF Max1V---
Vce饱和压降-200mV500mV200mV
跃迁频率--100MHz100MHz
DC电流增益(hFE)-80~25010080@10mA,5V
晶体管类型-NPNNPNNPN
配置-单路--
集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
发射极与基极之间电压 VEBO-6V--
制造商标准提前期-12 周8 周-
功率耗散-225mW300mW250mW
湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
系列--Original-
集电极截止电流 (Icbo)-100nA50nA(ICBO)-
印字代码-G1--
额定功率-225mW300mW250mW
集电极-基极电压(VCBO)-180V--
集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
极性-NPNNPN-
集电极-发射极电压 VCEO-160V160V160V
特征频率(fT)--100MHz100MHz
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