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    EEUEB1V330SVB1330、CJ3400A、AO3400A 的区别

    EEUEB1V330S

    制造商:Panasonic

    最优价格:¥0.40280

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    VB1330

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.30495

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    CJ3400A

    制造商:JSCJ

    最优价格:¥0.19271

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    AO3400A

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.25932

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    ECCN编码
    纹波电流46mA---
    等效串联电阻----
    封装/外壳插件,D5xL11mmSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型插件SMTSMTSMT
    容值33µF---
    精度±20%---
    等级工业级---
    长x宽/尺寸Ф5.00 x 11.00mm3.04 x 1.40mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.60mm
    工作温度-40℃~+105℃-55℃~+150℃(TJ)+150℃-55℃~+150℃
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    脚间距2.00mm---
    额定电压35V---
    耗散因数0.18---
    品牌PanasonicVBsemiJSCJAOS
    是否无铅YesYes-Yes
    不同温度时的使用寿命5000Hrs@105℃---
    认证信息RoHS---
    原始制造商Panasonic CorporationVBsemi Electronics Co. Ltd-Alpha and Omega Semiconductor
    高度11.00mm1.12mm1.15mm1.25mm
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装2000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    元件生命周期ActiveActive-Active
    漏泄电流11.5µA---
    原产国家JapanChina Taiwan-America
    系列EB-A---
    零件状态ActiveActive-Active
    栅极电荷(Qg)-6.7nC--
    连续漏极电流-5.3A5.8A5.7A
    配置-单路-单路
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    Vgs(Max)-±20V±12V±12V
    阈值电压-1.1V@250µA-1.5V@250µA
    栅极源极击穿电压-±20V±12V±12V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    充电电量-2.1nC-6nC
    功率耗散-1.1W400mW1.4W
    输入电容-335pF1.155nF630pF@15V
    反向传输电容Crss-17pF-50pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-33mΩ32mΩ26.5mΩ@10V,5.7A
    击穿电压-30V-30V
    额定功率--400mW1.4W
    漏极电流---5.7A
    FET功能----
    湿气敏感性等级 (MSL)---1(无限)
    类型---1个N沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---2.5V,10V
    技术路线---MOSFET (Metal Oxide)
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