尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    TC211A475M020YDMP1045U-7、DMP3130L-7、DMP3099L-7 的区别

    TC211A475M020Y

    制造商:Sunlord

    最优价格:¥0.40404

    查看详情 查看数据资料

    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.28500

    查看详情

    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.37968

    查看详情 查看数据资料

    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17500

    查看详情
    ECCN编码
    容值4.7μF---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳A3216-18SOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    应用领域Industrial---
    长x宽/尺寸3.20 x 1.60mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    等级工业级---
    等效串联电阻---
    额定电压20V---
    精度±20%---
    品牌SunlordDIODESDIODESDIODES
    最小包装2000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    原产国家ChinaAmericaAmericaAmerica
    原始制造商Shenzhen Sunlord Electronics Co., Ltd.Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    高度1.80mm1.00mm1.03mm1.00mm
    系列TC211---
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏极电流-4A3.5A3.8A
    Vgs(Max)-±8V±12V±20V
    FET功能----
    阈值电压-1V1.3V2.1V
    栅极电荷(Qg)-15.8nC24nC5.2nC
    漏源电压(Vdss)-12V30V30V
    连续漏极电流-4A3A3.8A
    制造商标准提前期-8 周8 周8 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    是否无铅-YesYesYes
    充电电量-15.8nC24nC5.2nC
    功率耗散-800mW700mW1.08W
    额定功率-800mW700mW1.08W
    输入电容-1.357nF864pF563pF
    栅极源极击穿电压-±8V±12V±20V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A65mΩ@10V,3.8A
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-235pF62pF41pF
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--2.5V,10V4.5V,10V
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照