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GS2988-INE3 与
2N7002-TP、2N7002ET1G、2N7002Q-7-F 的区别
制造商：SEMTECH 最优价格：￥17.72700 查看详情 | 制造商：MCC 最优价格：￥0.05559 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.10095 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.17594 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | Tray | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 封装/外壳 | VQFN16_3X3MM_EP | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 电源电压 | 3.465V | - | - | - |
| 通道数 | 2通道 | - | - | - |
| 最小包装 | 490pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 品牌 | Semtech | MCC | ON | DIODES |
| 供电电流 | 64mA | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 4.00 x 4.00mm | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 高度 | 0.85mm | 1.12mm | 1.11mm | 1.15mm |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 连续漏极电流 | - | 115mA | 260mA | 170mA |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 0.81nC | 0.233nC |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 阈值电压 | - | 2.5V | 2.5V@250µA | 2.5V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | 60V | 60V |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | 26 周 | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | - |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 原始制造商 | - | Micro Commercial Components | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 原产国家 | - | America | America | America |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 1.2Ω@10V,500mA | 2.5Ω@10V,240mA | 5Ω@500mA,10V |
| 反向传输电容Crss | - | 5pF@25V | 2.9pF | - |
| 系列 | - | - | - | Automotive,AEC-Q101 |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 额定功率 | - | 200mW | 300mW | 370mW |
| 功率耗散 | - | 200mW | 300mW | 370mW |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 5V，10V | 4.5V，10V | 5,10V |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±20V | ±20V |
| 输入电容 | - | 50pF@25V | 26.7pF | 50pF |
| Vgs(Max) | - | - | ±20V | ±20V |
| 击穿电压 | - | - | 60V | 60V |
| 充电电量 | - | - | 0.81nC | - |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
| 认证信息 | - | - | RoHS | - |
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