IR2181STRPBF 与
IR2181STRPBF、TF2181M-TAH、IRS2181STRPBF 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 工作电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 上升/下降时间 | 40,20ns | 40,20ns | - | 40ns,20ns |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 输出电流 | 1.4A | 1.4A | - | 1.8A |
| 通道类型 | Independent | Independent | - | Independent |
| 驱动器数 | 2 | 2 | - | 2 |
| 峰值拉电流 | 1.4A | 1.4A | 1.9A | 1.4A |
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | - | IGBT, N通道 MOSFET |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG | TF Semiconductor Solutions | Infineon Technologies AG |
| 品牌 | Infineon | Infineon | TFSS | Infineon |
| 逻辑电压 -VIL,VIH | 0.8V,2.7V | 0.8V,2.7V | - | 0.8V,2.5V |
| 电流-峰值输出(灌入,拉出) | 1.9A,2.3A | 1.9A,2.3A | - | 1.9A,2.3A |
| 输入类型 | Non-Inverting | Non-Inverting | - | Non-Inverting |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 600V | 600V | - | 600V |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+150℃ |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs |
| 高度 | 1.75mm | 1.75mm | 1.45mm | 1.75mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | Yes |
| 电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm |
| 通道数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 系列 | - | - | - | - |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | MOSFET;IGBT | MOSFET;IGBT | MOSFET;IGBT |
| 峰值灌电流 | 1.8A | 1.8A | 2.3A | 1.8A |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
| 元件生命周期 | - | - | Active | - |
| 原产国家 | - | - | Germany | - |
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