IR2181STRPBF 与
IR2181STRPBF、TF2181M-TAH、IRS2181STRPBF 的区别
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ECCN编码 | ||||
输出电流 | 1.4A | 1.4A | - | 1.8A |
通道类型 | Independent | Independent | - | Independent |
引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
工作电压 | 10V~20V | 10V~20V | - | 10V~20V |
上升/下降时间 | 40,20ns | 40,20ns | - | 40ns,20ns |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
封装/外壳 | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL |
供电电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
是否无铅 | Yes | Yes | - | Yes |
电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm |
通道数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
系列 | - | - | - | - |
负载类型 | MOSFET;IGBT | MOSFET;IGBT | - | MOSFET;IGBT |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG | TF Semiconductor Solutions | Infineon Technologies AG |
驱动器数 | 2 | 2 | - | 2 |
品牌 | Infineon | Infineon | TFSS | Infineon |
栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | - | IGBT, N通道 MOSFET |
逻辑电压 -VIL,VIH | 0.8V,2.7V | 0.8V,2.7V | - | 0.8V,2.5V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 1.9A,2.3A | 1.9A,2.3A | - | 1.9A,2.3A |
输入类型 | Non-Inverting | Non-Inverting | - | Non-Inverting |
高压侧电压-最大值(自举) | 600V | 600V | - | 600V |
工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+150℃ |
最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs |
高度 | 1.75mm | 1.75mm | 1.45mm | 1.75mm |
存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
元件生命周期 | - | - | Active | - |
原产国家 | - | - | Germany | - |
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