NCE65T540F 与
SA555DR、SE555DR、TLC555QDRG4 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 连续漏极电流 | 8A | - | - | - |
| 包装 | Tube packing | Tape/Reel | Tape/Reel | 剪切带(CT) ,带卷(TR) |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | - | - | - |
| 阈值电压 | 4V@250µA | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+85℃ | -55℃~+125℃ | -40℃~+125℃ |
| 安装类型 | 插件 | SMT | SMT | SMT |
| 漏极电流 | 1uA | - | - | - |
| 配置 | 单路 | - | - | - |
| 封装/外壳 | TO-220F | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | SOIC8 |
| 栅极电荷(Qg) | 22nC | - | - | - |
| 输入电容 | 590pF | - | - | - |
| 原始制造商 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | Texas Instruments Incorporated | Texas Instruments Incorporated | - |
| 长x宽/尺寸 | 10.36 x 4.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.91 x 3.90mm |
| 最小包装 | 50pcs | 2500pcs | 2500pcs | - |
| 类型 | 1个N沟道 | 555型,定时器/振荡器(单个) | 555型,定时器/振荡器(单个) | 555计时器,单路 |
| 额定功率 | 31.6W | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | 在售 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 540mΩ@10V,4A | - | - | - |
| 极性 | N-沟道 | - | - | - |
| 击穿电压 | 650V | - | - | - |
| 品牌 | NCE | TI | TI | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±30V | - | - | - |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 0.9pF | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | - |
| 充电电量 | 22nC | - | - | - |
| 原产国家 | China | America | America | - |
| 功率耗散 | 31.6W | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 供电电压 | - | 4.5V~16V | 4.5V~18V | 5V~15V |
| 工作频率 | - | 100kHz | 100kHz | 2.1MHz |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
| 电流驱动能力 | - | 200 mA | - | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 最大时钟频率 | - | 100KHz | 100KHz | - |
| 电源电流 | - | 10mA | 10mA | 360µA |
| 高度 | - | 1.75mm | 1.75mm | 1.57mm |
| 认证信息 | - | RoHS | RoHS | - |
| 脚间距 | - | 1.27mm | 1.27mm | - |
| 制造商标准提前期 | - | 6 周 | 6 周 | 12 周 |
| 系列 | - | - | - | LinCMOS™ |
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