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    NL27WZ08USGLM258DR、LM258DR2G 的区别

    NL27WZ08USG

    制造商:ON

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    LM258DR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.38081

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    LM258DR2G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.32256

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    ECCN编码
    输入数2--
    安装类型SMTSMTSMT
    电源电压1.65V~5.5V3V~30V32V
    封装/外壳US8_2X2.3MMSOIC-8SOIC-8
    静态电流1µA--
    延迟时间3.7ns--
    工作温度-55℃~+125℃-25℃~+85℃-25℃~+85℃
    类型AND Gate--
    零件状态Active--
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Texas Instruments IncorporatedON Semiconductor Inc.
    品牌OnsemiTION
    电路数2--
    长x宽/尺寸2.00 x 2.30mm4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm
    高度0.90mm1.75mm1.75mm
    系列27WZ--
    引脚数8Pin8Pin8Pin
    通道数222
    输出电流32mA40mA40mA
    增益带宽积(GBP)-700KHz1MHz
    输入失调电压(Vos)-3mV5mV
    输入偏置电流-20nA45nA
    工作电流-1mA1.5mA
    每个通道的输出电流-30mA40mA
    电源电压,单/双(±)-3V~32V,±1.5V~16V3V~32V,±1.5V~±16V
    压摆率-300mV/μs-
    包装-Tape/ReelTape/Reel
    放大器类型-通用通用
    脚间距-1.27mm-
    原产国家-AmericaAmerica
    共模抑制比 - CMRR-80dB85dB
    元件生命周期-ActiveActive
    最小包装-2500pcs2500pcs
    输入失调电压温漂(Vos TC)-7uV/℃-
    存储温度--65~+150℃-
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