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IRFB7534PBF 与
FM21X392K251PXG 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥6.72116 查看详情 查看数据资料 | 制造商：PSA 最优价格：￥0.03085 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tube packing | Tape/Reel | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | TO220AB | 0805 | ||
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+125℃ | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| 连续漏极电流 | 195A | - | ||
| 阈值电压 | 3.7V | - | ||
| 栅极电荷(Qg) | 279nC | - | ||
| 配置 | 单路 | - | ||
| 安装类型 | 插件 | SMT | ||
| 品牌 | Infineon | PSA | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 制造商标准提前期 | 14 周 | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 元件生命周期 | Active | Active | ||
| 长x宽/尺寸 | 10.67 x 4.83mm | 2.10 x 1.25mm | ||
| 高度 | 13.08mm | 0.80mm | ||
| 引脚数 | 3Pin | 2Pin | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 最小包装 | 1000pcs | 4000pcs | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | ||
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Prosperity Dielectrics Co., Ltd. | ||
| 原产国家 | Germany | China Taiwan | ||
| 系列 | HEXFET®,StrongIRFET™ | FM | ||
| 击穿电压 | 60V | - | ||
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4毫欧@100A，10V | - | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 6V，10V | - | ||
| 输入电容 | 10.034nF | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,100A | - | ||
| 额定功率 | 294W | - | ||
| 功率耗散 | 294W | - | ||
| 额定电压 | - | 250V | ||
| 容值 | - | 3.9nF | ||
| 精度 | - | ±10% | ||
| 温度系数Tf | - | ±15% | ||
| 电介质 | - | X7R | ||
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