尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    BA3123F-E2DMP3030SN-7、NTR4502PT1G、DMP1045U-7 的区别

    BA3123F-E2

    制造商:ROHM

    最优价格:¥1.65964

    查看详情 查看数据资料

    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

    查看详情 查看数据资料

    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

    查看详情

    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.28500

    查看详情
    ECCN编码
    压摆率2V/μs---
    输出类型Class AB---
    工作温度-40℃~+85℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    封装/外壳SOP-8SC59SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    工作电压4V~18V---
    电源电压,单/双(±)4V~18V---
    品牌RohmDIODESONDIODES
    存储温度-55~+125℃--55℃~+150℃-
    通道数2---
    放大器类型AB类---
    电源电压4V~18V---
    原产国家Japan-AmericaAmerica
    原始制造商Rohm Co.,Ltd.Diodes IncorporatedON Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
    元件生命周期Active-ActiveActive
    最小包装2500pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    引脚数8Pin-3Pin3Pin
    高度1.71mm1.40mm1.00mm1.00mm
    长x宽/尺寸5.00 x 4.40mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    Vgs(Max)-±20V±20V±8V
    栅极电荷(Qg)---15.8nC
    连续漏极电流-700mA1.13A4A
    阈值电压-3V@1mA3V@250µA1V
    配置-单路单路-
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V12V
    FET功能----
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    系列----
    零件状态-ActiveActiveActive
    功率耗散-500mW400mW800mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V-
    额定功率-500mW400mW800mW
    是否无铅-YesYesYes
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±8V
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    输入电容-160pF@10V200pF@15V1.357nF
    制造商标准提前期-8 周20 周8 周
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-250mΩ@10V,400mA200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A
    漏极电流--1.13A4A
    印字代码--TR2 M= =-
    认证信息--RoHS-
    击穿电压--30V-
    反向传输电容Crss--50pF235pF
    充电电量--6nC15.8nC
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照