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B-2100S02P-A110 与
SUD19N20-90-E3、FQD18N20V2TM、RCD100N20TL 的区别
制造商：ckmtw 最优价格：￥0.07550 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥5.34600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥5.55179 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ROHM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 脚间距 | 2.54mm | - | - | - |
| 额定电流 | 3A | - | - | - |
| 额定电压 | 500V | - | - | - |
| 公母 | 公头 | - | - | - |
| 触头材料 | 黄铜 | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | +150℃ |
| 安装类型 | 直插 | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | 插件,P=2.54mm | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 触头镀层 | 金镍 | - | - | - |
| 排数 | 单排 | - | - | - |
| 包装 | Box Packing | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 带卷（TR） |
| 针脚数 | 2Pin | - | - | - |
| 应用等级 | Consumer | - | - | - |
| 绝缘电阻 | 1GΩ | - | - | - |
| 塑高 | 2.54mm | - | - | - |
| 配接长度 | 6mm | - | - | - |
| 圆针/方针 | 方针 | - | - | - |
| 端子长度 | 3mm | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 5.08 x 2.54mm | - | - | - |
| 高度 | 8.54mm | - | - | - |
| 接触电阻 | 20mΩ | - | - | - |
| 存储温度 | -40~+105℃ | - | - | - |
| 最小包装 | 5000pcs | - | - | - |
| 颜色 | 黑色 | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 4V@250µA | 5V@250µA | 5.25V@1mA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±30V | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | 200V |
| 连续漏极电流 | - | 19A | 15A | 10A |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | - |
| 额定功率 | - | 3W,136W | 2.5W,83W | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 90mΩ@10V,5A | 140mΩ@7.5A,10V | 182毫欧@5A，10V |
| 制造商标准提前期 | - | 19 周 | 6 周 | 17 周 |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 功率耗散 | - | 3W,136W | 2.5W,83W | 850mW,20W |
| 系列 | - | TrenchFET® | QFET® | - |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 输入电容 | - | 1.8nF@25V | 1.08nF@25V | 1.4nF@25V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 6V，10V | 10V | - |
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