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MMBT8550D(1.5A)-Y2 与
BAT54S、BAT54SLT1G、BAT54S-7-F 的区别
制造商：ST(先科) 最优价格：￥0.09329 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIOTEC 最优价格：￥0.12220 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.08874 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.08203 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | +150℃ | - | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ |
| 安装类型 | SMT | - | SMT | SMT |
| 包装 | Tape/reel | - | Tape/Reel | Tape/Reel |
| DC电流增益(hFE) | 160 | - | - | - |
| Vce饱和压降 | 500mV | - | - | - |
| 晶体管类型 | PNP | - | - | - |
| 跃迁频率 | 120MHz | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | - | SOT-23 | SOT-23 |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 25V | - | - | - |
| 特征频率(fT) | 120MHz | - | - | - |
| 额定功率 | 200mW | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | Active |
| 零件状态 | Active | - | Active | Active |
| 原始制造商 | Semtech Electronics Limited | - | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | - | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 原产国家 | China Hong Kong | - | America | America |
| 最小包装 | 3000pcs | - | 3000pcs | 3000pcs |
| 集电极电流 Ic | 1.5A | - | - | - |
| 品牌 | ST(先科) | - | Onsemi | DIODES |
| 功率耗散 | 200mW | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | - | - | No |
| 极性 | PNP | - | - | - |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 25V | - | - | - |
| 集电极-基极电压（VCBO） | 40V | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | - | 3Pin | 3Pin |
| 高度 | 1.10mm | - | 0.94mm | 1.05mm |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 6V | - | - | - |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | -65~+150℃ |
| 功率耗散（最大值） | - | - | 225mW | 200mW |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | 1（无限） | 1（无限） |
| 工作温度-结 | - | - | 125°C（最大） | -65°C~150°C |
| 反向耐压VR | - | - | 30V | 30V |
| 正向压降VF | - | - | 800mV | 800mV |
| 反向漏电流IR | - | - | 2µA | 2µA |
| 二极管配置 | - | - | 1对串联 | 1对串联 |
| 反向恢复时间(trr) | - | - | 5ns | 5ns |
| 平均整流电流 | - | - | 200mA | 200mA |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | - | 600mA | 600mA |
| 总电容C | - | - | 10pF | 10pF |
| 正向压降VF Max | - | - | 240mV | 800mV |
| 应用 | - | - | 通用 | 通用 |
| 反向峰值电压（最大值） | - | - | - | 30V |
| 二极管类型 | - | - | - | 肖特基 |
| 速度 | - | - | - | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS, AEC-Q101 |
| 脚间距 | - | - | - | 1.92mm |
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