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8050DU 与
LM258DR2G、LM258DR 的区别
制造商：ST(先科) 最优价格：￥0.20648 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.32256 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.38081 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT89-3 | SOIC-8 | SOIC-8 | |
| 工作温度 | +150℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | |
| DC电流增益(hFE) | 160~300 | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/Reel | Tape/Reel | |
| 跃迁频率 | 100MHz | - | - | |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 25V | - | - | |
| Vce饱和压降 | 500mV | - | - | |
| 晶体管类型 | NPN | - | - | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -65~+150℃ | |
| 品牌 | ST(先科) | ON | TI | |
| 长x宽/尺寸 | 4.50 x 2.50mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 集电极电流 Ic | 1.5A | - | - | |
| 高度 | 1.50mm | 1.75mm | 1.75mm | |
| 功率耗散 | 625mW | - | - | |
| 引脚数 | 3Pin | 8Pin | 8Pin | |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 25V | - | - | |
| 最小包装 | 1000pcs | 2500pcs | 2500pcs | |
| 额定功率 | 625mW | - | - | |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | - | - | |
| 零件状态 | Active | - | - | |
| 原始制造商 | Semtech Electronics Limited | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated | |
| 原产国家 | China Hong Kong | America | America | |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 6V | - | - | |
| 集电极-基极电压（VCBO） | 40V | - | - | |
| 极性 | NPN | - | - | |
| 输出电流 | - | 40mA | 40mA | |
| 电源电压，单/双（±） | - | 3V~32V,±1.5V~±16V | 3V~32V,±1.5V~16V | |
| 每个通道的输出电流 | - | 40mA | 30mA | |
| 工作电流 | - | 1.5mA | 1mA | |
| 输入失调电压(Vos) | - | 5mV | 3mV | |
| 输入偏置电流 | - | 45nA | 20nA | |
| 增益带宽积（GBP） | - | 1MHz | 700KHz | |
| 共模抑制比 - CMRR | - | 85dB | 80dB | |
| 放大器类型 | - | 通用 | 通用 | |
| 电源电压 | - | 32V | 3V~30V | |
| 通道数 | - | 2 | 2 | |
| 压摆率 | - | - | 300mV/μs | |
| 脚间距 | - | - | 1.27mm | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | - | 7uV/℃ | |
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