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    MB85RS128BPNF-G-JNERE1BAT54C-7-F、BAT54CTA、BAT54C-TP 的区别

    MB85RS128BPNF-G-JNERE1

    制造商:FUJITSU

    最优价格:¥8.00850

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    BAT54C-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.09000

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    BAT54CTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.14504

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    BAT54C-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07924

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    ECCN编码
    最大时钟频率33MHz---
    工作电压(范围)3.6V---
    存储容量128Kb---
    包装Tape/ReelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    接口类型SPI---
    封装/外壳SOP-8SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    高度1.75mm1.15mm1.10mm1.12mm
    最小包装1500pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    原始制造商Fujitsu LimitedDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedMicro Commercial Components
    技术FRAM(铁电体RAM)---
    存储器格式FRAM---
    工作温度-40℃~+85℃-65℃~+150℃+125℃-55℃~+125℃
    零件状态Not For New DesignsActiveActiveActive
    品牌FUJITSUDIODESDIODESMCC
    引脚数8Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸5.05 x 3.90mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    存储器类型非易失---
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)--
    二极管配置-1对共阴极共阴极1对共阴极
    功率耗散(最大值)-200mW330mW250mW
    二极管类型-肖特基--
    反向耐压VR-30V30V30V
    正向压降VF-800mV1V@100mA800mV@100mA
    速度-小信号 =< 200mA(Io),任意速度 --
    平均整流电流-200mA200mA200mA
    工作温度-结--65°C~150°C--
    反向恢复时间(trr)-5ns5ns-
    反向峰值电压(最大值)-30V--
    反向漏电流IR-2µA2.5µA2µA
    总电容C-10pF7.5pF-
    存储温度--65~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    是否无铅-YesYesYes
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    应用-通用--
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    认证信息-RoHS, AEC-Q101-RoHS
    脚间距-1.9mm--
    正向压降VF Max-800mV1V-
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-600mA600mA0.6A
    反向击穿电压--50V-
    印字代码--L43-
    正向电流--200mA-
    Vf正向峰值电压---0.8V
    结电容---10pF
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