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    RQ6E030ATTCRTL432AIDBZR、TL432BIDBZR、TL431BIDBZR 的区别

    RQ6E030ATTCR

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.35349

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    TL432AIDBZR

    制造商:TI

    最优价格:¥1.63357

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    TL432BIDBZR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.31050

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    TL431BIDBZR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.40002

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    ECCN编码
    FET功能----
    封装/外壳TSMT6SOT-23SOT-23SOT-23
    配置单路---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    连续漏极电流3A---
    晶体管类型P沟道---
    包装Tape/reel---
    阈值电压2.5V@1mA---
    Vgs(Max)±20V---
    工作温度-55℃~+150℃-40℃~+85℃-40℃~+85℃-40℃~+85℃
    漏源电压(Vdss)30V---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)91毫欧@3A,10V---
    击穿电压30V---
    输入电容240pF---
    反向传输电容Crss35pF---
    存储温度-55℃~+150℃---
    长x宽/尺寸3.00 x 1.80mm2.90 x 1.30mm2.92 x 1.30mm2.92 x 1.30mm
    高度1.00mm1.12mm1.12mm1.12mm
    是否无铅YesYesYes-
    引脚数6Pin3Pin3Pin3Pin
    元件生命周期Active---
    原产国家Japan---
    原始制造商Rohm Co.,Ltd.Texas Instruments IncorporatedTexas Instruments Incorporated-
    栅极源极击穿电压±20V---
    功率耗散1.25W---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    极性N-沟道---
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    系列----
    零件状态Active---
    制造商标准提前期10 周---
    品牌RohmTITITI
    初始精度(误差)-±1%±0.5%±0.5%
    温度系数(温漂)----
    输出电流-100mA100mA100mA
    输出类型-可调可调可调
    参考源类型-ShuntShuntShunt
    输出电压-2.495V2.495V2.495V~36V
    阴极电流-700μA700μA700μA
    工作电流----
    精度-±1%±0.5%±0.5%
    容差-±1%±0.5%±0.5%
    输入电压----
    脚间距--1.9mm1.9mm
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