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    GT-TS171A-H014-L1MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F、MMBT5551LT3G 的区别

    GT-TS171A-H014-L1

    制造商:G-Switch

    最优价格:¥0.43330

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.14634

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.19710

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    ECCN编码
    封装/外壳SW4_3X2.75MM_SMSOT-23SOT-23SOT-23
    机械寿命10万次---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    额定电流-DC50mA---
    开关功能开-关-开---
    触点形式单刀双掷---
    按键颜色---
    触头额定电流50mA---
    品牌G-SwitchPANJITDIODESON
    认证信息RoHS---
    是否带灯---
    原产国家China Hong KongChina Taiwan-America
    开关位数1---
    原始制造商G-switch Electronic(Hongkong)CO., Ltd.--ON Semiconductor
    高度1.40mm1.10mm1.10mm1.11mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸3.00 x 2.75mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    元件生命周期ActiveActive--
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装4000pcs-3000pcs10000pcs
    接触电阻100mΩ---
    包装Tape/Reel-Tape/reelTape/reel
    绝缘电阻100MΩ---
    工作温度-30℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    操作寿命10万次---
    额定电压-DC12V---
    操作力160gf---
    DC电流增益(hFE)-80@10mA,5V5080~250
    跃迁频率-100MHz100MHz-
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    额定功率-250mW300mW225mW
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    特征频率(fT)-100MHz300MHz-
    功率耗散-250mW300mW225mW
    系列--Original-
    集电极截止电流 (Icbo)--500nA(ICBO)100nA
    制造商标准提前期--12 周12 周
    极性---NPN
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    配置---单路
    发射极与基极之间电压 VEBO---6V
    印字代码---G1
    集电极-基极电压(VCBO)---180V
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