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    GT-TS171A-H014-L1SMMBT5551LT1G、MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F 的区别

    GT-TS171A-H014-L1

    制造商:G-Switch

    最优价格:¥0.43330

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    SMMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30522

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.14634

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

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    ECCN编码
    额定电流-DC50mA---
    封装/外壳SW4_3X2.75MM_SMSOT-23SOT-23SOT-23
    机械寿命10万次---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    接触电阻100mΩ---
    最小包装4000pcs3000pcs-3000pcs
    绝缘电阻100MΩ---
    包装Tape/ReelTape/reel-Tape/reel
    操作寿命10万次---
    工作温度-30℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    额定电压-DC12V---
    操作力160gf---
    开关功能开-关-开---
    按键颜色---
    触点形式单刀双掷---
    触头额定电流50mA---
    品牌G-SwitchONPANJITDIODES
    是否带灯---
    认证信息RoHSAEC-Q101,--
    开关位数1---
    原产国家China Hong KongAmericaChina Taiwan-
    高度1.40mm1.11mm1.10mm1.10mm
    原始制造商G-switch Electronic(Hongkong)CO., Ltd.ON Semiconductor--
    长x宽/尺寸3.00 x 2.75mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    元件生命周期Active-Active-
    是否无铅YesYesYesYes
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    配置-单路--
    DC电流增益(hFE)-8080@10mA,5V50
    跃迁频率--100MHz100MHz
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    功率耗散-225mW250mW300mW
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V--
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    制造商标准提前期-12 周-12 周
    集电极-基极电压(VCBO)-180V--
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    额定功率-225mW250mW300mW
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA-500nA(ICBO)
    极性-NPN--
    系列-MMBT5551L-Original
    印字代码-G1--
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    特征频率(fT)--100MHz300MHz
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