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L6386ED013TR 与
L6386ED 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 引脚数 | 14Pin | - | ||
| 上升/下降时间 | 50ns，30ns | 50ns，30ns | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 封装/外壳 | SOIC14_150MIL | SOIC14 | ||
| 通道类型 | Independent | Independent | ||
| 输出电流 | 400mA,650mA | - | ||
| 输出类型 | - | - | ||
| 工作电压 | 17V | 17V | ||
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 400mA，650mA | 400mA，650mA | ||
| 输入类型 | Inverting | Inverting | ||
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V | 600V | ||
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | ||
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 通道数 | 2 | 2 | ||
| 最小包装 | 2500pcs | - | ||
| 电源电压 | 17V | 17V | ||
| 高度 | 1.75mm | - | ||
| 系列 | - | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 8.65 x 3.90mm | - | ||
| 驱动器数 | 2 | 2 | ||
| 供电电压 | 17V | 17V | ||
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | ||
| 品牌 | ST | ST | ||
| 原始制造商 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | ||
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 1.5V，3.6V | 1.5V，3.6V | ||
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