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    2N7002-TP2N7002-7-F、2N7002ET1G、2N7002Q-7-F 的区别

    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    2N7002-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.06568

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

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    ECCN编码
    连续漏极电流115mA210mA260mA170mA
    栅极电荷(Qg)--0.81nC0.233nC
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    阈值电压2.5V2.5V2.5V@250µA2.5V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)60V60V60V60V
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    配置单路-单路-
    FET功能----
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,500mA7.5Ω@5V,50mA2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V
    反向传输电容Crss5pF@25V-2.9pF-
    系列---Automotive,AEC-Q101
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    额定功率200mW370mW300mW370mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)5V,10V5V,10V4.5V,10V5,10V
    功率耗散200mW370mW300mW370mW
    品牌MCCDIODESONDIODES
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    输入电容50pF@25V50pF26.7pF50pF
    制造商标准提前期8 周12 周26 周-
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅YesNoYes-
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    高度1.12mm1.10mm1.11mm1.15mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    原始制造商Micro Commercial ComponentsDiodes IncorporatedON SemiconductorDiodes Incorporated
    漏极电流-115mA--
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    脚间距-1.92mm--
    充电电量--0.81nC-
    存储温度---55℃~+150℃-
    认证信息--RoHS-
    击穿电压--60V60V
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