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GD32F405VGT6 与
FDC2612 的区别
制造商：Gigadevice 最优价格：￥16.50000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥2.16845 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | LQFP-100(14x14) | SOT23-6 | ||
| 主频速度（Max） | 168MHz | - | ||
| 程序存储容量 | 192KB | - | ||
| CPU内核 | ARM Cortex-M4 | - | ||
| 接口 | I²C,SPI,USART | - | ||
| 程序空间类型 | 闪存 | - | ||
| I/O数 | 82 | - | ||
| 工作电压（范围） | 2.6V~3.6V | - | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 包装 | Tray | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | ||
| 最小包装 | 90pcs | - | ||
| 脚间距 | 0.50mm | 0.95mm | ||
| 引脚数 | 100Pin | 6Pin | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 元件生命周期 | Active | - | ||
| 闪存大小 | 512KB | - | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 原始制造商 | GigaDevice Semiconductor Inc. | - | ||
| EEPROM容量 | 512KB | - | ||
| 原产国家 | China | - | ||
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | ||
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 14.00 x 14.00mm | 2.90 x 1.60mm | ||
| 高度 | 1.60mm | 1.20mm | ||
| 品牌 | GigaDevice | - | ||
| 系列 | GD32F405xx | PowerTrench® | ||
| 阈值电压 | - | 4.5V@250µA | ||
| FET功能 | - | - | ||
| Vgs(Max) | - | ±20V | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | ||
| 晶体管类型 | - | N沟道 | ||
| 连续漏极电流 | - | 1.1A | ||
| 制造商标准提前期 | - | 9 周 | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | ||
| 功率耗散 | - | 1.6W | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 725毫欧@1.1A，10V | ||
| 输入电容 | - | 234pF | ||
| 极性 | - | N-沟道 | ||
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | ||
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