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    AP50N06KMMBT3904、MMBT3904LT1G、MMBT3904Q-7-F 的区别

    AP50N06K

    制造商:ALLPOWER

    最优价格:¥0.49728

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    MMBT3904

    制造商:DIOTEC

    最优价格:

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    MMBT3904LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.03869

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    MMBT3904Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.20083

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    ECCN编码
    封装/外壳TO-252(DPAK)SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reel-Tape/reelTape/reel
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    漏源电压(Vdss)60V---
    漏极电流50A---
    阈值电压1.65V@250µA---
    连续漏极电流50A---
    栅极电荷(Qg)36nC---
    配置单路-单路-
    极性N-沟道-NPNNPN
    功率耗散60W-225mW310mW
    存储温度-55℃~+175℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸6.80 x 6.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    零件状态Active-ActiveActive
    高度6.20mm1.10mm1.00mm1.10mm
    最小包装2500pcs-3000pcs3000pcs
    是否无铅Yes-YesYes
    元件生命周期Active--Active
    输入电容1.92nF---
    原始制造商Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.-ON SemiconductorDiodes Incorporated
    认证信息RoHS---
    类型1个N沟道---
    原产国家China-AmericaAmerica
    额定功率60W350mW300mW310mW
    品牌ALLPOWER-ONDIODES
    反向传输电容Crss80pF@25V---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13mΩ@10V,20A---
    集射极击穿电压Vce(Max)-40V40V40V
    DC电流增益(hFE)-100@10mA,1V300100
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    集电极电流 Ic-200mA200mA200mA
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-300mV@50mA,5mA40V40V
    特征频率(fT)-300MHz300MHz300MHz
    跃迁频率--300MHz-
    Vce饱和压降--300mV300mV
    制造商标准提前期--16 周-
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    印字代码--1AM-
    脚间距--1.9mm-
    系列----
    集电极截止电流 (Icbo)----
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V-
    集电极-基极电压(VCBO)--40V-
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