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    TCC1206X7R471K102DTSZVN2120GTA、STN1N20 的区别

    TCC1206X7R471K102DTS

    制造商:CCTC

    最优价格:¥0.04204

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    ZVN2120GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.59350

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    STN1N20

    制造商:ST

    最优价格:¥8.20380

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    ECCN编码
    包装Tape/ReelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    容值470pF--
    精度±10%--
    额定电压1KV--
    介质材料陶瓷--
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳1206SOT-223TO261-4
    长x宽/尺寸3.20 x 1.60mm6.50 x 3.50mm-
    等级---
    成分Ceramic--
    原产国家ChinaChina-
    温度系数TfX7R--
    元件生命周期ActiveActive-
    卷盘尺寸Φ180mm--
    电介质X7R--
    引脚数2Pin3Pin-
    最小包装3000pcs1000pcs-
    高度0.85mm1.60mm-
    系列TCC-MESHOVERLAY™
    零件状态ActiveActive过期
    品牌CCTCDIODES-
    漏源电压(Vdss)-200V200V
    漏极电流-320mA-
    FET功能---
    Vgs(Max)-±20V-
    栅极电荷(Qg)---
    配置-单路-
    阈值电压-3V@1mA5V@250µA
    连续漏极电流-320mA1A
    晶体管类型-N沟道N沟道
    制造商标准提前期-10 周-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)
    是否无铅-YesYes
    额定功率-2W-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-10Ω@10V,250mA1.5欧姆@500mA,10V
    类型-1个N沟道-
    输入电容-85pF206pF@25V
    极性-N-沟道-
    功率耗散-2W2.9W
    存储温度--55℃~+150℃-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原始制造商-DIODES Electronics Co. Ltd-
    击穿电压-200V-
    栅极源极击穿电压-±20V-
    反向传输电容Crss-7pF-
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