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AP3400 与
M24C01-WMN6P、M24C01-WMN6TP/S 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/reel | Tube packing | Tape/Reel | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SO-8_4.9X3.9MM | SO-8_4.9X3.9MM | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ | |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | |
| 连续漏极电流 | 5.8A | - | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | - | |
| 漏极电流 | 5.8A | - | - | |
| 阈值电压 | 1.1V | - | - | |
| 原始制造商 | Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |
| 元件生命周期 | Active | - | - | |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V,5.8A | - | - | |
| 高度 | 1.30mm | 1.75mm | 1.25mm | |
| 零件状态 | Active | Active | Not For New Designs | |
| 长x宽/尺寸 | 3.10 x 1.50mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 功率耗散 | 1.4W | - | - | |
| 反向传输电容Crss | 77pF | - | - | |
| 击穿电压 | 30V | - | - | |
| 输入电容 | 823pF | - | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±12V | - | - | |
| 极性 | N-沟道 | - | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | |
| 原产国家 | China | - | - | |
| 引脚数 | 3Pin | 8Pin | 8Pin | |
| 额定功率 | 1.4W | - | - | |
| 品牌 | ALLPOWER | ST | ST | |
| 写周期时间(Tw) | - | 5ms | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | |
| 接口类型 | - | I2C | I2C | |
| 存取时间 | - | 900ns | 900ns | |
| 最大时钟频率 | - | 400KHz | 400KHz | |
| 工作电压（范围） | - | 5.5V | 5.5V | |
| 存储容量 | - | 1Kb | 1Kb | |
| 脚间距 | - | 1.27mm | - | |
| 存储器类型 | - | 非易失 | 非易失 | |
| 是否无铅 | - | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
| 存储器格式 | - | EEPROM | EEPROM | |
| 技术 | - | EEPROM | EEPROM | |
| 速度 | - | - | 400kHz | |
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