尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    GD32F303CGT6SDT23C712L02、SM712-02HTG、RLST23A712C 的区别

    GD32F303CGT6

    制造商:Gigadevice

    最优价格:¥8.80000

    查看详情 查看数据资料

    SDT23C712L02

    制造商:Brightking

    最优价格:¥0.49618

    查看详情 查看数据资料

    SM712-02HTG

    制造商:TECH PUBLIC

    最优价格:¥0.18720

    查看详情 查看数据资料

    RLST23A712C

    制造商:RUILON

    最优价格:¥1.15963

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    工作电压(范围)2.6V~3.6V---
    封装/外壳LQFP48_7X7MMSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    主频速度(Max)120MHz---
    包装TrayTape/ReelTape/Reel-
    CPU内核ARM Cortex-M4---
    接口I²C,SPI,USART---
    程序空间类型闪存---
    程序存储容量256KB---
    I/O数37---
    最大时钟频率32MHz---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+125℃(TJ)-55℃~+125℃
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--
    长x宽/尺寸7.00 x 7.00mm3.05 x 1.40mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.65mm
    品牌GigaDeviceBrightkingTech PublicRuilon
    高度1.60mm1.09mm1.12mm1.10mm
    最小包装250pcs3000pcs3000pcs-
    外设DMA,PWM---
    脚间距0.50mm---
    引脚数48Pin3Pin3Pin3Pin
    闪存大小256KB---
    元件生命周期ActiveActive--
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    原始制造商GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.Guangdong Baizhen Brightking Electronics Co., LTD--
    EEPROM容量128KB---
    原产国家ChinaChina--
    击穿电压 -min-13.3V7.5V7.5V,13.3V
    峰值脉冲电流(Ipp)-5A17A5A
    结电容-75pF-75pF@1MHz
    极性-双向双向双向
    击穿电压-13.3V13.3V7.5V;13.3V
    类型-ESD-ESD
    功率-峰值脉冲-400W450W400W
    通道数-222
    反向断态电压-12V7V12V;7V
    钳位电压-20V26V10V;20V
    是否无铅-YesYesYes
    反向漏电流 IR--2μA20μA,1μA
    应用--General Purpose-
    额定电压-DC---7V,12V
    电源电压---7V,12V
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照