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    MMBT5551-TPMMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别

    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    DC电流增益(hFE)1005025080~250
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    Vce饱和压降500mV200mV200mV200mV
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率100MHz100MHz--
    是否无铅YesYesYesYes
    系列OriginalOriginal--
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    特征频率(fT)100MHz300MHz--
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V160V
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs10000pcs
    额定功率300mW300mW225mW225mW
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    原始制造商Micro Commercial Components-ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    高度1.00mm1.10mm1.11mm1.11mm
    原产国家America-AmericaAmerica
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    极性NPN-NPNNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    元件生命周期Active-Active-
    品牌MCCDIODESONON
    集电极截止电流 (Icbo)50nA(ICBO)500nA(ICBO)100nA100nA
    功率耗散300mW300mW225mW225mW
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    制造商标准提前期8 周12 周12 周12 周
    配置--单路单路
    集电极-基极电压(VCBO)--180V180V
    印字代码--G1G1
    脚间距--1.9mm-
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V6V
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