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    MMBT5551-TPMMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G、SMMBT5551LT1G 的区别

    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    SMMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    Vce饱和压降500mV200mV200mV200mV
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率100MHz---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    DC电流增益(hFE)10025080~25080
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    元件生命周期ActiveActive--
    品牌MCCONONON
    集电极截止电流 (Icbo)50nA(ICBO)100nA100nA100nA
    功率耗散300mW225mW225mW225mW
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    制造商标准提前期8 周12 周12 周12 周
    是否无铅YesYesYesYes
    系列Original--MMBT5551L
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    特征频率(fT)100MHz---
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V160V
    最小包装3000pcs3000pcs10000pcs3000pcs
    额定功率300mW225mW225mW225mW
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    原始制造商Micro Commercial ComponentsON Semiconductor Inc.ON SemiconductorON Semiconductor
    高度1.00mm1.11mm1.11mm1.11mm
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    极性NPNNPNNPNNPN
    配置-单路单路单路
    脚间距-1.9mm--
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V6V6V
    集电极-基极电压(VCBO)-180V180V180V
    印字代码-G1G1G1
    认证信息---AEC-Q101,
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