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    ZXMN3A03E6TAVB7322、NTGS4141NT1G、SI3456DDV-T1-GE3 的区别

    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

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    SI3456DDV-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.78546

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT26TSOP-6TSOP-6TSOP-6
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±20V
    连续漏极电流4.6A5.5A7A6.3A
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    阈值电压1V1.5V@250µA3V@250µA3V@250µA
    漏源电压(Vdss)30V30V30V30V
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    击穿电压30V30V30V30V
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)--MOSFET (Metal Oxide)
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸3.00 x 1.60mm3.05 x 1.65mm3.00 x 1.50mm3.05 x 1.65mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    高度1.15mm1.10mm1.00mm1.00mm
    原始制造商Diodes IncorporatedVBsemi Electronics Co. LtdON SemiconductorVishay Intertechnology, Inc.
    系列---TrenchFET®
    额定功率1.1W-500mW2.7W
    充电电量12.6nC4.2nC6nC6nC
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,7.8A27mΩ25mΩ@7A,10V40mΩ@10V,5A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V-4.5V,10V4.5V,10V
    类型1个N沟道-1个N沟道1个N沟道
    元件生命周期ActiveActive-Active
    制造商标准提前期10 周-30 周15 周
    原产国家AmericaChina TaiwanAmericaAmerica
    功率耗散1.1W1.3W500mW1.7W
    是否无铅NoYesYesYes
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容600pF424pF560pF@24V325pF
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V±20V
    品牌DIODESVBsemiONVishay
    反向传输电容Crss-42pF15pF30pF
    引脚数6Pin6Pin6Pin6Pin
    栅极电荷(Qg)-13nC--
    配置-单路单路单路
    漏极电流-6A3.5A6.3A
    认证信息--RoHS-
    印字代码--S4 M= =-
    脚间距---1mm
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