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ZXMN3A03E6TA 与
NTGS4141NT1G、SI3456DDV-T1-GE3、AO6402A 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥8.84450 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥ 查看详情 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.78546 查看详情 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.80309 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 1V | 3V@250µA | 3V@250µA | 2.5V@250µA |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT26 | TSOP-6 | TSOP-6 | SC74,SOT457 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 连续漏极电流 | 4.6A | 7A | 6.3A | 7.5A |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | 带卷（TR） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V | - |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 制造商标准提前期 | 10 周 | 30 周 | 15 周 | 16 周 |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | - |
| 功率耗散 | 1.1W | 500mW | 1.7W | 2W |
| 原产国家 | America | America | America | - |
| 是否无铅 | No | Yes | Yes | Yes |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 输入电容 | 600pF | 560pF@24V | 325pF | 820pF@15V |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 品牌 | DIODES | ON | Vishay | - |
| 反向传输电容Crss | - | 15pF | 30pF | - |
| 引脚数 | 6Pin | 6Pin | 6Pin | - |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | - |
| 击穿电压 | 30V | 30V | 30V | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.60mm | 3.00 x 1.50mm | 3.05 x 1.65mm | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 高度 | 1.15mm | 1.00mm | 1.00mm | - |
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | Vishay Intertechnology, Inc. | - |
| 充电电量 | 12.6nC | 6nC | 6nC | - |
| 系列 | - | - | TrenchFET® | - |
| 额定功率 | 1.1W | 500mW | 2.7W | 2W |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,7.8A | 25mΩ@7A,10V | 40mΩ@10V,5A | 24mΩ@10V,7.5A |
| 漏极电流 | - | 3.5A | 6.3A | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 印字代码 | - | S4 M= = | - | - |
| 脚间距 | - | - | 1mm | - |
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