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    821KD14JAO3413、VB2290、AO3415 的区别

    821KD14J

    制造商:Brightking

    最优价格:¥0.47700

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    AO3413

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.32276

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    VB2290

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.21112

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    AO3415

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.38569

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    ECCN编码
    高度20.50mm1.25mm1.12mm1.25mm
    精度±10%---
    额定电压-DC670V---
    压敏电压902V---
    长x宽/尺寸Φ16.50 x 7.50mm2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.60mm
    包装Bag PackingTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳VAR_D16.5X7.5MM_TMSOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-40℃~+105℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    安装类型插件SMTSMTSMT
    系列14Φ---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    最大工作电压(AC)510V---
    浪涌电流6KA---
    变阻器电压820(738~902)V---
    电容240pF---
    品牌BrightkingAOSVBsemiAOS
    最小包装250pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    能量235J---
    静电容240pF@1kHz---
    钳位电压1.355kV---
    FET功能----
    配置-单路单路单路
    Vgs(Max)-±8V±12V±8V
    阈值电压-1V@250µA-1V@250µA
    连续漏极电流-2.4A4.5A3.5A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    漏极电流-3A-4A
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-97mΩ@4.5V,3A43mΩ43mΩ@4.5V,4A
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率-1.4W-1.5W
    类型-1个P沟道-1个P沟道
    击穿电压-20V20V20V
    输入电容-540pF@10V835pF1.45nF@10V
    栅极源极击穿电压-±8V±12V±8V
    反向传输电容Crss-70pF155pF80pF
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V-1.5V,4.5V
    充电电量-11nC10nC9.3nC
    功率耗散-1.4W1.25W1.5W
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    原始制造商-Alpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. LtdAlpha and Omega Semiconductor
    原产国家-AmericaChina TaiwanAmerica
    制造商标准提前期-16 周-16 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    是否无铅-Yes-Yes
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    认证信息---RoHS
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