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    821KD14JAO3415A、AO3419、AO3413 的区别

    821KD14J

    制造商:Brightking

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    AO3415A

    制造商:AOS

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    AO3419

    制造商:AOS

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    AO3413

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    精度±10%---
    额定电压-DC670V---
    压敏电压902V---
    长x宽/尺寸Φ16.50 x 7.50mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm
    包装Bag PackingTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳VAR_D16.5X7.5MM_TMSOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-40℃~+105℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    安装类型插件SMTSMTSMT
    高度20.50mm1.25mm1.25mm1.25mm
    最大工作电压(AC)510V---
    浪涌电流6KA---
    变阻器电压820(738~902)V---
    电容240pF---
    品牌BrightkingAOSAOSAOS
    最小包装250pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    能量235J---
    静电容240pF@1kHz---
    钳位电压1.355kV---
    系列14Φ---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    配置-单路单路单路
    阈值电压-850mV@250µA1.4V@250μA1V@250µA
    漏极电流-5A-3A
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    FET功能----
    Vgs(Max)-±8V±12V±8V
    连续漏极电流-5A2.8A2.4A
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-45mΩ@4.5V,4A85mΩ@4.5V,3A97mΩ@4.5V,3A
    元件生命周期-Active-Active
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    认证信息-RoHS--
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    击穿电压-20V-20V
    制造商标准提前期-16 周16 周16 周
    栅极源极击穿电压-±8V-±8V
    是否无铅-YesYesYes
    反向传输电容Crss-80pF37pF@10V70pF
    输入电容-940pF@10V400pF@10V540pF@10V
    充电电量-9.3nC-11nC
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V
    功率耗散-1.5W1.4W1.4W
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    原始制造商-Alpha and Omega Semiconductor-Alpha and Omega Semiconductor
    原产国家-America-America
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    额定功率-1.5W1.4W1.4W
    脚间距--1.9mm-
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