WR12X910JTL 与
L6386ED 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | 1206 | SOIC14 | ||
| 技术/工艺 | 厚膜 | - | ||
| 精度 | ±5% | - | ||
| 功率 | 250mW | - | ||
| 温度系数 | ±100ppm/℃ | - | ||
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -40℃~+150℃ | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 长x宽/尺寸 | 3.10 x 1.60mm | - | ||
| 引脚数 | 2Pin | - | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 系列 | WR12 | - | ||
| 电阻材料 | 金属陶瓷 | - | ||
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | ||
| 品牌 | Walsin | ST | ||
| 原始制造商 | Walsin Technology Corporation | STMicroelectronics | ||
| 原产国家 | China Taiwan | - | ||
| 额定电压 | 400V | - | ||
| 等级 | 通用 | - | ||
| 应用 | Consumer | - | ||
| 高度 | 0.60mm | - | ||
| 阻值 | 91Ω | - | ||
| 输出类型 | - | - | ||
| 通道类型 | - | Independent | ||
| 工作电压 | - | 17V | ||
| 上升/下降时间 | - | 50ns,30ns | ||
| 峰值灌电流 | - | 650mA | ||
| 峰值拉电流 | - | 400mA | ||
| 下降时间 | - | 30ns | ||
| 电源电压 | - | 17V | ||
| 驱动器数 | - | 2 | ||
| 通道数 | - | 2 | ||
| 栅极类型 | - | IGBT, N通道 MOSFET | ||
| 负载类型 | - | MOSFET;IGBT | ||
| 逻辑电压 -VIL,VIH | - | 1.5V,3.6V | ||
| 电流-峰值输出(灌入,拉出) | - | 400mA,650mA | ||
| 输入类型 | - | Inverting | ||
| 高压侧电压-最大值(自举) | - | 600V | ||
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