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    RTR030P02TL1N4148TR、1N4148TA 的区别

    RTR030P02TL

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.95817

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    1N4148TR

    制造商:ON

    最优价格:¥0.05655

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    1N4148TA

    制造商:ON

    最优价格:¥0.04681

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    ECCN编码
    Vgs(Max)±12V--
    连续漏极电流3A--
    晶体管类型P沟道--
    包装Tape/reelTape/ReelBox packing
    阈值电压2V--
    安装类型SMT插件插件
    漏源电压(Vdss)20V--
    配置单路--
    FET功能---
    封装/外壳TSMT3DO-35(DO-204AH)DO-35(DO-204AH)
    工作温度+150℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    技术路线---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    系列-1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x481N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48
    零件状态Not For New DesignsActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V--
    功率耗散1W--
    栅极源极击穿电压±12V--
    输入电容840pF--
    品牌RohmOnsemiOnsemi
    长x宽/尺寸3.00 x 1.80mmΦ1.91 x 4.56mmΦ1.91 x 4.56mm
    最小包装3000pcs10000pcs5000pcs
    是否无铅YesYesYes
    极性P-沟道--
    充电电量9.3nC--
    额定功率1W--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ@4.5V,3A--
    类型1个P沟道--
    反向恢复时间(trr)-4ns4ns
    工作温度-结--65°C~175°C175°C(最大)
    二极管配置-单路单路
    功率耗散(最大值)-500mW500mW
    二极管类型-标准标准
    平均整流电流-200mA200mA
    反向耐压VR-75V100V
    反向峰值电压(最大值)-100V100V
    正向压降VF-1V1V
    速度-小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
    反向漏电流IR-5μA50µA
    高度-1.91mm1.91mm
    引脚数-2Pin2Pin
    总电容C-4pF4pF
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor Inc.
    应用-通用通用
    原产国家-AmericaAmerica
    制造商标准提前期-6 周6 周
    元件生命周期-Active-
    正向压降VF Max-1V1V
    正向电流-300mA300mA
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-1A1A
    存储温度--65~+200℃-65~+200℃
    反向击穿电压--100V
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