RTR030P02TL 与
1N4148TA、1N4148-T50R 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 20V | - | - | |
| 安装类型 | SMT | 插件 | 插件 | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | TSMT3 | DO-35(DO-204AH) | DO-35(DO-204AH) | |
| 工作温度 | +150℃ | -55℃~+175℃ | +175℃ | |
| Vgs(Max) | ±12V | - | - | |
| 连续漏极电流 | 3A | - | - | |
| 晶体管类型 | P沟道 | - | - | |
| 包装 | Tape/reel | Box packing | Tape/Reel | |
| 阈值电压 | 2V | - | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±12V | - | - | |
| 功率耗散 | 1W | - | - | |
| 输入电容 | 840pF | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.80mm | Φ1.91 x 4.56mm | - | |
| 品牌 | Rohm | Onsemi | Onsemi | |
| 最小包装 | 3000pcs | 5000pcs | - | |
| 极性 | P-沟道 | - | - | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | |
| 额定功率 | 1W | - | - | |
| 充电电量 | 9.3nC | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@4.5V,3A | - | - | |
| 类型 | 1个P沟道 | - | - | |
| 技术路线 | - | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | - | |
| 系列 | - | 1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48 | - | |
| 零件状态 | Not For New Designs | Active | Active | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.5V,4.5V | - | - | |
| 二极管配置 | - | 单路 | - | |
| 功率耗散(最大值) | - | 500mW | - | |
| 工作温度-结 | - | 175°C(最大) | - | |
| 反向峰值电压(最大值) | - | 100V | 100V | |
| 反向漏电流IR | - | 50µA | 5μA | |
| 反向恢复时间(trr) | - | 4ns | 4ns | |
| 正向压降VF | - | 1V | 1V | |
| 速度 | - | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| 平均整流电流 | - | 200mA | 200mA | |
| 反向耐压VR | - | 100V | 100V | |
| 二极管类型 | - | 标准 | Standard | |
| 正向压降VF Max | - | 1V | 1V | |
| 正向电流 | - | 300mA | - | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | 1A | - | |
| 存储温度 | - | -65~+200℃ | - | |
| 高度 | - | 1.91mm | - | |
| 引脚数 | - | 2Pin | - | |
| 原始制造商 | - | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor Inc. | |
| 原产国家 | - | America | America | |
| 总电容C | - | 4pF | 4pF | |
| 反向击穿电压 | - | 100V | - | |
| 制造商标准提前期 | - | 6 周 | - | |
| 应用 | - | 通用 | - | |
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