尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    RS724XPAO3419、AO3413、VB2290 的区别

    RS724XP

    制造商:RUNIC

    最优价格:¥6.37450

    查看详情

    AO3419

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.43376

    查看详情 查看数据资料

    AO3413

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.32276

    查看详情 查看数据资料

    VB2290

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.21112

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    输出类型Rail-to-Rail---
    工作电流1.15mA---
    增益带宽积(GBP)10MHz---
    电源电压,单/双(±)2.5V~5.5V,±1.25V~2.75V---
    压摆率7V/μs---
    每个通道的输出电流70mA---
    输出电流70mA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOIC14_150MILSOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    工作温度-40℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    输入失调电压(Vos)2.5mV---
    输入偏置电流1pA---
    品牌RunicAOSAOSVBsemi
    存储温度-65~+150℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    通道数4---
    长x宽/尺寸8.65 x 3.90mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm
    高度1.75mm1.25mm1.25mm1.12mm
    引脚数14Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装2500pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    认证信息RoHS---
    放大器类型CMOS---
    脚间距1.27mm1.9mm--
    元件生命周期Active-ActiveActive
    电源电压7V---
    原产国家China-AmericaChina Taiwan
    原始制造商Jiangsu Runic Technology Co., Ltd.-Alpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. Ltd
    共模抑制比 - CMRR75dB---
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    FET功能----
    Vgs(Max)-±12V±8V±12V
    连续漏极电流-2.8A2.4A4.5A
    阈值电压-1.4V@250μA1V@250µA-
    配置-单路单路单路
    功率耗散-1.4W1.4W1.25W
    输入电容-400pF@10V540pF@10V835pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)-
    反向传输电容Crss-37pF@10V70pF155pF
    类型-1个P沟道1个P沟道-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-85mΩ@4.5V,3A97mΩ@4.5V,3A43mΩ
    额定功率-1.4W1.4W-
    系列----
    是否无铅-YesYes-
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,10V1.8V,4.5V-
    制造商标准提前期-16 周16 周-
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    漏极电流--3A-
    击穿电压--20V20V
    栅极源极击穿电压--±8V±12V
    充电电量--11nC10nC
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照