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    S3227000121040ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G、AO6404 的区别

    S3227000121040

    制造商:JGHC

    最优价格:¥0.27103

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

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    AO6404

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.70070

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    ECCN编码
    年老化率±3ppm/year---
    引脚数4Pin6Pin6Pin-
    封装/外壳SMD3225_4PSOT26TSOP-6SC74,SOT457
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸3.20 x 2.50mm3.00 x 1.60mm3.00 x 1.50mm-
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    频率误差±10ppm---
    主频频率27MHz---
    类型贴片晶振1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    频率稳定性±10ppm---
    原始制造商Shenzhen Jingguanghua Electronics Co., Ltd.Diodes IncorporatedON Semiconductor-
    原产国家ChinaAmericaAmerica-
    印字类型Laser---
    存储温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    元件生命周期ActiveActive--
    绝缘电阻500MΩ @ DC100V---
    谐振模式Fundamental---
    切型AT Cut---
    高度0.70mm1.15mm1.00mm-
    是否无铅YesNoYesYes
    产品状态Active---
    负载电容12pF---
    等效串联电阻40Ω---
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±12V
    连续漏极电流-4.6A7A8.6A
    包装-Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    阈值电压-1V3V@250µA1V@250µA
    漏源电压(Vdss)-30V30V20V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    输入电容-600pF560pF@24V1.81nF@10V
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    品牌-DIODESON-
    反向传输电容Crss--15pF-
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    击穿电压-30V30V-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    充电电量-12.6nC6nC-
    系列----
    额定功率-1.1W500mW2W
    零件状态-ActiveActiveActive
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-50mΩ@10V,7.8A25mΩ@7A,10V17mΩ@10V,8.5A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V1.8V,10V
    制造商标准提前期-10 周30 周16 周
    功率耗散-1.1W500mW2W
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    配置--单路-
    漏极电流--3.5A-
    认证信息--RoHS-
    印字代码--S4 M= =-
    栅极电荷(Qg)---17.9nC
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