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    S3227000121040VB7322、ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G 的区别

    S3227000121040

    制造商:JGHC

    最优价格:¥0.27103

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    引脚数4Pin6Pin6Pin6Pin
    封装/外壳SMD3225_4PTSOP-6SOT26TSOP-6
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸3.20 x 2.50mm3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm3.00 x 1.50mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    频率误差±10ppm---
    主频频率27MHz---
    类型贴片晶振-1个N沟道1个N沟道
    年老化率±3ppm/year---
    原产国家ChinaChina TaiwanAmericaAmerica
    印字类型Laser---
    存储温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    绝缘电阻500MΩ @ DC100V---
    谐振模式Fundamental---
    切型AT Cut---
    高度0.70mm1.10mm1.15mm1.00mm
    是否无铅YesYesNoYes
    产品状态Active---
    负载电容12pF---
    等效串联电阻40Ω---
    频率稳定性±10ppm---
    原始制造商Shenzhen Jingguanghua Electronics Co., Ltd.VBsemi Electronics Co. LtdDiodes IncorporatedON Semiconductor
    栅极电荷(Qg)-13nC--
    连续漏极电流-5.5A4.6A7A
    配置-单路-单路
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    漏极电流-6A-3.5A
    阈值电压-1.5V@250µA1V3V@250µA
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    品牌-VBsemiDIODESON
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    零件状态-ActiveActiveActive
    充电电量-4.2nC12.6nC6nC
    功率耗散-1.3W1.1W500mW
    反向传输电容Crss-42pF-15pF
    输入电容-424pF600pF560pF@24V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-27mΩ50mΩ@10V,7.8A25mΩ@7A,10V
    击穿电压-30V30V30V
    FET功能----
    技术路线--MOSFET (Metal Oxide)-
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    额定功率--1.1W500mW
    系列----
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--4.5V,10V4.5V,10V
    制造商标准提前期--10 周30 周
    认证信息---RoHS
    印字代码---S4 M= =
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