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    S3227000121040AO6404、AO6408、VB7322 的区别

    S3227000121040

    制造商:JGHC

    最优价格:¥0.27103

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    AO6404

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.70070

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    AO6408

    制造商:AOS

    最优价格:

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    ECCN编码
    引脚数4Pin--6Pin
    封装/外壳SMD3225_4PSC74,SOT457SC74,SOT457TSOP-6
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    长x宽/尺寸3.20 x 2.50mm--3.05 x 1.65mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    频率误差±10ppm---
    主频频率27MHz---
    类型贴片晶振1个N沟道--
    年老化率±3ppm/year---
    原始制造商Shenzhen Jingguanghua Electronics Co., Ltd.--VBsemi Electronics Co. Ltd
    原产国家China--China Taiwan
    印字类型Laser---
    存储温度-40℃~+85℃---55℃~+150℃
    元件生命周期Active--Active
    绝缘电阻500MΩ @ DC100V---
    谐振模式Fundamental---
    切型AT Cut---
    高度0.70mm--1.10mm
    是否无铅YesYesYesYes
    产品状态Active---
    负载电容12pF---
    等效串联电阻40Ω---
    频率稳定性±10ppm---
    Vgs(Max)-±12V-±20V
    漏源电压(Vdss)-20V20V30V
    连续漏极电流-8.6A8.8A5.5A
    栅极电荷(Qg)-17.9nC-13nC
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) 剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel
    阈值电压-1V@250µA1V@250µA1.5V@250µA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    系列----
    功率耗散-2W2W1.3W
    零件状态-Active过期Active
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,10V--
    极性-N-沟道-N-沟道
    额定功率-2W--
    制造商标准提前期-16 周--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-17mΩ@10V,8.5A18毫欧@8.8A,10V27mΩ
    输入电容-1.81nF@10V2.2nF@10V424pF
    配置---单路
    漏极电流---6A
    击穿电压---30V
    栅极源极击穿电压---±20V
    品牌---VBsemi
    最小包装---3000pcs
    充电电量---4.2nC
    反向传输电容Crss---42pF
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