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    S3227000121040AO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别

    S3227000121040

    制造商:JGHC

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    AO6408

    制造商:AOS

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    VB7322

    制造商:VBsemi

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    ECCN编码
    类型贴片晶振--1个N沟道
    年老化率±3ppm/year---
    引脚数4Pin-6Pin6Pin
    封装/外壳SMD3225_4PSC74,SOT457TSOP-6SOT26
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    长x宽/尺寸3.20 x 2.50mm-3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    频率误差±10ppm---
    主频频率27MHz---
    负载电容12pF---
    等效串联电阻40Ω---
    频率稳定性±10ppm---
    原始制造商Shenzhen Jingguanghua Electronics Co., Ltd.-VBsemi Electronics Co. LtdDiodes Incorporated
    原产国家China-China TaiwanAmerica
    印字类型Laser---
    存储温度-40℃~+85℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    元件生命周期Active-ActiveActive
    绝缘电阻500MΩ @ DC100V---
    谐振模式Fundamental---
    切型AT Cut---
    高度0.70mm-1.10mm1.15mm
    是否无铅YesYesYesNo
    产品状态Active---
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)-20V30V30V
    连续漏极电流-8.8A5.5A4.6A
    阈值电压-1V@250µA1.5V@250µA1V
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    系列----
    功率耗散-2W1.3W1.1W
    零件状态-过期ActiveActive
    输入电容-2.2nF@10V424pF600pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@8.8A,10V27mΩ50mΩ@10V,7.8A
    漏极电流--6A-
    栅极电荷(Qg)--13nC-
    配置--单路-
    Vgs(Max)--±20V±20V
    充电电量--4.2nC12.6nC
    反向传输电容Crss--42pF-
    击穿电压--30V30V
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    极性--N-沟道N-沟道
    品牌--VBsemiDIODES
    最小包装--3000pcs3000pcs
    额定功率---1.1W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---4.5V,10V
    制造商标准提前期---10 周
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