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NCE6080K 与
NCE6075K 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 60V | ||
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | ||
| 阈值电压 | 4V | 4V | ||
| 栅极电荷(Qg) | 90nC | 50nC | ||
| 连续漏极电流 | 80A | 75A | ||
| 漏极电流 | 1uA | 1uA | ||
| Vgs(Max) | 20V | 20V | ||
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | ||
| 配置 | 单路 | 单路 | ||
| 长x宽/尺寸 | 6.70 x 6.20mm | 6.70 x 6.20mm | ||
| 输入电容 | 4nF | 2.35nF | ||
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | ||
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V,20A | 11.5mΩ@10V,30A | ||
| 品牌 | NCE | NCE | ||
| 高度 | 2.30mm | 2.40mm | ||
| 原产国家 | China | China | ||
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | ||
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | ||
| 元件生命周期 | Active | Active | ||
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 充电电量 | 90nC | 50nC | ||
| 功率耗散 | 110W | 110W | ||
| 栅极源极击穿电压 | 20V | ±20V | ||
| 额定功率 | 110W | 110W | ||
| 晶体管类型 | - | N沟道 | ||
| 反向传输电容Crss | - | 205pF | ||
| 击穿电压 | - | 60V | ||
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