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MB85RS512TPNF-G-JNERE1 与
IRLML5203TRPBF、DMG2305UX-7、DMG2305UX-13 的区别
制造商：FUJITSU 最优价格：￥26.31500 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Infineon 最优价格：￥0.37799 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.16791 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.32443 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 接口类型 | SPI | - | - | - |
| 存储容量 | 512Kb | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 30MHz | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOP8_150MIL | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作电压（范围） | 3.6V | - | - | - |
| 原始制造商 | Fujitsu Limited | Infineon Technologies AG | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 最小包装 | 1500pcs | 3000pcs | 3000pcs | 10000pcs |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 高度 | 1.75mm | 1.12mm | 1.00mm | 1.00mm |
| 长x宽/尺寸 | 5.05 x 3.90mm | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) |
| 存储器类型 | 非易失 | - | - | - |
| 品牌 | FUJITSU | Infineon | DIODES | DIODES |
| 引脚数 | 8Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 技术 | FRAM（铁电体RAM） | - | - | - |
| 存储器格式 | FRAM | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 2.5V@250µA | 900mV | 900mV |
| 连续漏极电流 | - | 3A | 4.2A | 4.2A |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 20V | 20V |
| 漏极电流 | - | 3A | 4.2A | 4.2A |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±8V | ±8V |
| 配置 | - | 单路 | - | - |
| 输入电容 | - | 510pF@25V | 808pF | 808pF |
| 击穿电压 | - | 30V | 20V | 20V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 98mΩ@10V,3A | 52mΩ@4.5V,4.2A | 52mΩ@4.5V,4.2A |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±8V | ±8V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 1.8V，4.5V | 1.8V，4.5V |
| 反向传输电容Crss | - | 43pF | - | - |
| 充电电量 | - | 9.5nC | 10.2nC | 10.2nC |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散 | - | 1.25W | 1.4W | 1.4W |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 系列 | - | HEXFET® | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 原产国家 | - | Germany | America | America |
| 印字代码 | - | XYWLC | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 额定功率 | - | 1.25W | 1.4W | 1.4W |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 10.2nC | 10.2nC |
| 制造商标准提前期 | - | - | 8 周 | 5 周 |
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