尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    MB85RS512TPNF-G-JNERE1DMG2305UX-7、DMG2305UX-13、DMP3030SN-7 的区别

    MB85RS512TPNF-G-JNERE1

    制造商:FUJITSU

    最优价格:¥26.31500

    查看详情 查看数据资料

    DMG2305UX-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.16791

    查看详情

    DMG2305UX-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.32443

    查看详情

    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    接口类型SPI---
    存储容量512Kb---
    最大时钟频率30MHz---
    封装/外壳SOP8_150MILSOT-23SOT-23SC59
    工作电压(范围)3.6V---
    高度1.75mm1.00mm1.00mm1.40mm
    长x宽/尺寸5.05 x 3.90mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃
    存储器类型非易失---
    品牌FUJITSUDIODESDIODESDIODES
    引脚数8Pin3Pin3Pin-
    技术FRAM(铁电体RAM)---
    存储器格式FRAM---
    原始制造商Fujitsu LimitedDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    最小包装1500pcs3000pcs10000pcs3000pcs
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    FET功能----
    栅极电荷(Qg)-10.2nC10.2nC-
    漏源电压(Vdss)-20V20V30V
    Vgs(Max)-±8V±8V±20V
    阈值电压-900mV900mV3V@1mA
    连续漏极电流-4.2A4.2A700mA
    漏极电流-4.2A4.2A-
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    功率耗散-1.4W1.4W500mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V
    制造商标准提前期-8 周5 周8 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    元件生命周期-ActiveActive-
    是否无铅-YesYesYes
    输入电容-808pF808pF160pF@10V
    充电电量-10.2nC10.2nC-
    原产国家-AmericaAmerica-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-52mΩ@4.5V,4.2A52mΩ@4.5V,4.2A250mΩ@10V,400mA
    栅极源极击穿电压-±8V±8V±20V
    额定功率-1.4W1.4W500mW
    系列----
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    击穿电压-20V20V-
    配置---单路
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照