尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    MB85RS512TPNF-G-JNERE1DMP2035U-7、IRLML5203TRPBF、DMG2305UX-7 的区别

    MB85RS512TPNF-G-JNERE1

    制造商:FUJITSU

    最优价格:¥26.31500

    查看详情 查看数据资料

    DMP2035U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.35492

    查看详情

    IRLML5203TRPBF

    制造商:Infineon

    最优价格:¥0.37799

    查看详情 查看数据资料

    DMG2305UX-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.16791

    查看详情
    ECCN编码
    存储容量512Kb---
    最大时钟频率30MHz---
    封装/外壳SOP8_150MILSOT-23SOT-23SOT-23
    工作电压(范围)3.6V---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    接口类型SPI---
    存储器类型非易失---
    品牌FUJITSUDIODESInfineonDIODES
    引脚数8Pin3Pin3Pin3Pin
    技术FRAM(铁电体RAM)---
    存储器格式FRAM---
    原始制造商Fujitsu LimitedDiodes IncorporatedInfineon Technologies AGDiodes Incorporated
    最小包装1500pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    高度1.75mm1.03mm1.12mm1.00mm
    长x宽/尺寸5.05 x 3.90mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    漏极电流-3.6A3A4.2A
    FET功能----
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    连续漏极电流-3.6A3A4.2A
    阈值电压-1V2.5V@250µA900mV
    栅极电荷(Qg)-15.4nC-10.2nC
    Vgs(Max)-±8V±20V±8V
    漏源电压(Vdss)-20V30V20V
    功率耗散-810mW1.25W1.4W
    充电电量-15.4nC9.5nC10.2nC
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    脚间距-1.92mm--
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V4.5V,10V1.8V,4.5V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-35mΩ@4.5V,4A98mΩ@10V,3A52mΩ@4.5V,4.2A
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    制造商标准提前期-8 周-8 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    系列--HEXFET®-
    额定功率-810mW1.25W1.4W
    栅极源极击穿电压-±8V±20V±8V
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    反向传输电容Crss-145pF43pF-
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    输入电容-1.61nF510pF@25V808pF
    是否无铅-YesYesYes
    原产国家-AmericaGermanyAmerica
    配置--单路-
    印字代码--XYWLC-
    认证信息--RoHS-
    击穿电压--30V20V
    存储温度---55℃~+150℃-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照