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IRS44273LTRPBF 与
LM293DR2G、LM293DR 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥2.72889 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.56316 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.29028 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT23-5 | SOIC-8 | SOIC-8 | |
| 输出电流 | 1.5A | 16mA | 20mA | |
| 通道类型 | Single | - | - | |
| 引脚数 | 5Pin | 8Pin | 8Pin | |
| 工作电压 | 10.2V~20V | - | - | |
| 上升/下降时间 | 25, 25ns | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 是否无铅 | Yes | - | - | |
| 最小包装 | 3000pcs | 2500pcs | 2500pcs | |
| 逻辑低电平 | 0.8, 2.5V | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.75mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 品牌 | Infineon | ON | TI | |
| 高度 | 1.45mm | 1.75mm | 1.75mm | |
| 电源电压 | 10.2V~20V | 1V~18V;2V~36V | 1V~18V;2V~36V | |
| 通道数 | 1 | 2 | - | |
| 系列 | µHVIC™ | - | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | - | - | |
| 峰值灌电流 | 1.5A | - | - | |
| 驱动器数 | 1 | - | - | |
| 峰值拉电流 | 1.5A | - | - | |
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | - | - | |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V，2.5V | - | - | |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A，1.5A | - | - | |
| 输入类型 | Non-Inverting | - | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | |
| 输入失调电压(Vos) | - | 5mV | 5mV | |
| 包装 | - | Tape/Reel | Tape/Reel | |
| 输出类型 | - | CMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTL | CMOS,MOS,Open-Drain,TTL | |
| 输入偏置电流 | - | 250nA | 250nA | |
| 静态电流（Max） | - | 2.5mA | 2.5mA | |
| 电源电压，单/双（±） | - | 2V~36V,±1V~18V | 2V~30V,±1V~15V | |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | |
| 响应时间 | - | 1.5μs | 1.3µs | |
| 存储温度 | - | -65~+150℃ | -65~+150℃ | |
| 放大器类型 | - | 通用 | 差分 | |
| 原产国家 | - | America | America | |
| 认证信息 | - | RoHS | RoHS | |
| 供电电流 | - | 2.5mA | 2.5mA | |
| 原始制造商 | - | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated | |
| 传播延迟时间 | - | - | - | |
| 脚间距 | - | - | 1.27mm | |
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