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    MMBT5551_R1_00001MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、SMMBT5551LT1G 的区别

    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    SMMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vce饱和压降200mV200mV500mV200mV
    DC电流增益(hFE)80@10mA,5V80~25010080
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率100MHz-100MHz-
    品牌PANJITONMCCON
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V160V
    原产国家China TaiwanAmericaAmericaAmerica
    额定功率250mW225mW300mW225mW
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    元件生命周期Active-Active-
    高度1.10mm1.11mm1.00mm1.11mm
    特征频率(fT)100MHz-100MHz-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    功率耗散250mW225mW300mW225mW
    是否无铅YesYesYesYes
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    配置-单路-单路
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial ComponentsON Semiconductor
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA50nA(ICBO)100nA
    印字代码-G1-G1
    集电极-基极电压(VCBO)-180V-180V
    极性-NPNNPNNPN
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V-6V
    制造商标准提前期-12 周8 周12 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    最小包装-10000pcs3000pcs3000pcs
    系列--OriginalMMBT5551L
    认证信息---AEC-Q101,
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