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6CS13560F20UCG 与
AO3420、ZXMN2A14FTA、SI2302CDS-T1-E3 的区别
制造商：SJK 最优价格：￥0.34362 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.53054 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥1.10000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.56622 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 年老化率 | ±3ppm/year | - | - | - |
| 主频频率 | 13.56MHz | - | - | - |
| 封装/外壳 | HC-49S/SMD | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 频率误差 | ±20ppm | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸 | 11.40 x 4.80mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.30mm | 2.92 x 1.30mm |
| 类型 | 贴片晶振 | N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 频率稳定性 | ±30ppm | - | - | - |
| 激励功率 | 100μW | - | - | - |
| 系列 | 6C | - | - | TrenchFET® |
| 输出波形 | Sine Wave | - | - | - |
| 等效串联电阻 | 40Ω | - | - | - |
| 存储温度 | -40℃~+85℃ | - | - | -55℃~+150℃ |
| 负载电容 | 20pF | - | - | - |
| 封装技术 | Resistance weld | - | - | - |
| 等级 | Consumer | - | - | - |
| 原始制造商 | Shenzhen SJK Industrial Co., Ltd. | Alpha and Omega Semiconductor | Diodes Incorporated | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 原产国家 | China | America | - | America |
| 材质 | Quartz Crystal | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | Active |
| 印字类型 | Laser | - | - | - |
| 产品状态 | Active | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 切型 | AT Cut | - | - | - |
| 应用领域 | Consumer | - | - | - |
| 谐振模式 | Fundamental | - | - | - |
| 高度 | 4.00mm | 1.25mm | 0.98mm | 1.12mm |
| 静电容 | 3pF | - | - | - |
| 连续漏极电流 | - | 6A | 3.4A | 2.6A |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 阈值电压 | - | 1V | 700mV@250µA | 850mV@250µA |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±12V | ±12V | ±8V |
| 充电电量 | - | 12.5nC | - | 3.5nC |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 24mΩ@10V,6A | 60mΩ@3.4A,4.5V | 57mΩ@4.5V,3.6A |
| 功率耗散 | - | 1.4W | 1W | 710mW |
| 反向传输电容Crss | - | 45pF@10V | - | - |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.8V，10V | 2.5V，4.5V | 2.5V，4.5V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±12V | - | ±8V |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 10 周 | 19 周 |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 输入电容 | - | 630pF | 544pF | - |
| 品牌 | - | AOS | DIODES | Vishay |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 额定功率 | - | 1.4W | 1W | 710mW |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 6.6nC | 5.5nC |
| 击穿电压 | - | - | - | 20V |
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