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    VB2290AO3419、AO3413、DMG2301U-7 的区别

    VB2290

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.21112

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    AO3419

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.43376

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    AO3413

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.32276

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    DMG2301U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.34219

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    ECCN编码
    连续漏极电流4.5A2.8A2.4A2.7A
    漏源电压(Vdss)20V20V20V20V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    配置单路单路单路单路
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    Vgs(Max)±12V±12V±8V±8V
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    原产国家China Taiwan-AmericaAmerica
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ85mΩ@4.5V,3A97mΩ@4.5V,3A130mΩ@4.5V,2.8A
    原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd-Alpha and Omega SemiconductorDiodes Incorporated
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    击穿电压20V-20V-
    元件生命周期Active-ActiveActive
    栅极源极击穿电压±12V-±8V±8V
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    品牌VBsemiAOSAOSDIODES
    高度1.12mm1.25mm1.25mm1.10mm
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.30mm
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    充电电量10nC-11nC-
    功率耗散1.25W1.4W1.4W800mW
    反向传输电容Crss155pF37pF@10V70pF72pF
    输入电容835pF400pF@10V540pF@10V608pF
    阈值电压-1.4V@250μA1V@250µA1V@250µA
    FET功能----
    是否无铅-YesYesYes
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,10V1.8V,4.5V2.5V,4.5V
    制造商标准提前期-16 周16 周8 周
    脚间距-1.9mm--
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率-1.4W1.4W800mW
    系列----
    漏极电流--3A-
    栅极电荷(Qg)---6.5nC
    认证信息---RoHS
    无卤---Yes
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