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TPNTS4101PT1G 与
SN74HCT04NSR、MC74ACT04DTR2G、MC74ACT04DR2G 的区别
制造商：TECH PUBLIC 最优价格：￥0.16296 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥3.63960 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.98147 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥1.23734 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 700mV@250μA | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-323 | SO-14_10.2X5.3MM | TSSOP14_5X4.4MM | SOIC14_150MIL |
| 连续漏极电流 | 2.3A | - | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | - | - | - |
| 晶体管类型 | P沟道 | - | - | - |
| 工作温度 | +125℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 配置 | 单路 | - | - | - |
| 包装 | Tape/reel | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,2.3A | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 原始制造商 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | Texas Instruments Incorporated | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor Inc. |
| 原产国家 | China Taiwan | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 2.10 x 1.24mm | 10.20 x 5.30mm | 5.00 x 4.40mm | 8.65 x 3.90mm |
| 输入电容 | 640pF | - | - | - |
| 存储温度 | -50℃~+150℃ | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±10A | - | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100mΩ | - | - | - |
| 击穿电压 | 20V | - | - | - |
| 功率耗散 | 290mW | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 82pF | - | - | - |
| 高度 | 1.00mm | 1.90mm | 1.20mm | 1.75mm |
| 极性 | P-沟道 | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | 14Pin | 14Pin | 14Pin |
| 品牌 | TECH PUBLIC | TI | Onsemi | Onsemi |
| 类型 | 1个P沟道 | Inverter | Inverter | Inverter |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | - |
| 额定功率 | 290mW | - | - | - |
| 电源电压 | - | 4.5V~5.5V | 4.5V~5.5V | 4.5V~5.5V |
| 高电平范围 | - | 2V | 2V | 2V |
| 低电平范围 | - | 800mV | 800mV | 800mV |
| 静态电流 | - | 2µA | 4µA | 4µA |
| 输入数 | - | 6 | 6 | 6 |
| 脚间距 | - | 1.27mm | 0.65mm | - |
| 拉电流(IOH) | - | 4mA | 24mA | 24mA |
| 灌电流(IOL) | - | 4mA | 24mA | 24mA |
| 电源电流 | - | 2μA | 4μA | 4μA |
| 输出电流 | - | 4mA | 24mA | 24mA |
| 系列 | - | 74HCT | 74ACT | 74ACT |
| 电路数 | - | 6 | 6 | 6Channel |
| 延迟时间 | - | 18ns | 8.5ns | 8.5ns |
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