尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    SI9407BDY-T1-GE3MC7812BDTG 的区别

    SI9407BDY-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥1.15000

    查看详情 查看数据资料

    MC7812BDTG

    制造商:ON

    最优价格:¥1.73102

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    封装/外壳SOIC-8TO-252(DPAK)
    工作温度-55℃~+150℃-40℃~+125℃
    Vgs(Max)±20V-
    连续漏极电流4.7A-
    阈值电压3V@250µA-
    安装类型SMTSMT
    晶体管类型P沟道-
    配置单路-
    包装Tape/reel-
    漏源电压(Vdss)60V-
    FET功能--
    元件生命周期Active-
    栅极源极击穿电压±20V-
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.-
    反向传输电容Crss50pF-
    功率耗散2.4W-
    存储温度-55℃~+150℃-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)-
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm6.54 x 6.10mm
    高度1.55mm2.28mm
    额定功率2.4W,5W-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-
    最小包装2500pcs-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)120mΩ@10V,3.2A-
    原产国家America-
    类型1个P沟道-
    系列TrenchFET®-
    引脚数8Pin3Pin
    零件状态Active-
    脚间距1.27mm-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V-
    品牌Vishay-
    制造商标准提前期15 周-
    极性P-沟道正极
    输入电容600pF@30V-
    是否无铅YesYes
    击穿电压60V-
    输入电压(最大值)-35V
    输出类型-固定
    稳压器拓扑-正,固定式
    输出电压-12V
    输出电流-1A
    压差-2V@1A
    电源抑制比(PSRR)-60dB@(1KHz)
    通道数-1
    特性-防静电保护;短路保护;热保护(TSD);过流保护(OCP);带使能
    输出通道数-1
    输入电压-35V
    加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照