尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    OPA277UA/2K5MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别

    OPA277UA/2K5

    制造商:TI

    最优价格:¥4.19004

    查看详情 查看数据资料

    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.08800

    查看详情

    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.07952

    查看详情

    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.12430

    查看详情
    ECCN编码
    输入失调电压(Vos)20μV---
    工作电流790μA---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳SOIC8_150MILSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    增益带宽积(GBP)1MHz---
    -3db带宽----
    输出电流35mA---
    输入偏置电流500pA---
    电源电压,单/双(±)4V~36V,±2V~±18V---
    压摆率800mV/μs---
    每个通道的输出电流35mA---
    输出类型----
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    引脚数8Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装2500pcs3000pcs3000pcs10000pcs
    元件生命周期Active-Active-
    通道数1---
    长x宽/尺寸4.90 x 3.91mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    放大器类型通用---
    高度1.75mm1.10mm1.11mm1.11mm
    品牌TIDIODESONON
    存储温度-55~+125℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    原始制造商Texas Instruments Incorporated-ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    共模抑制比 - CMRR140dB---
    原产国家America-AmericaAmerica
    认证信息RoHS---
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    跃迁频率-100MHz--
    DC电流增益(hFE)-5025080~250
    功率耗散-300mW225mW225mW
    极性-BidirectionalNPNNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率-300mW225mW225mW
    集电极-发射极电压 VCEO-160V160V160V
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    是否无铅-YesYesYes
    零件状态-ActiveActiveActive
    系列-Original--
    特征频率(fT)-300MHz--
    集电极截止电流 (Icbo)-500nA(ICBO)100nA100nA
    制造商标准提前期-12 周12 周12 周
    配置--单路单路
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V6V
    集电极-基极电压(VCBO)--180V180V
    印字代码--G1G1
    脚间距--1.9mm-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照