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IRS2101STRPBF 与
IRS2101STRPBF、TF2101M-TAH、IR2101STRPBF 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 通道类型 | Detached | Detached | - | Independent |
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 工作电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
| 上升/下降时间 | 70, 35ns | 70, 35ns | - | 100ns，50ns |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 输出电流 | - | - | - | 360mA |
| 峰值灌电流 | 270mA | 270mA | 600mA | 270mA |
| 逻辑低电平 | 0.8, 2.5V | 0.8, 2.5V | - | - |
| 峰值拉电流 | 130mA | 130mA | 290mA | 130mA |
| 系列 | Original | Original | - | - |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V |
| 驱动器数 | 2 | 2 | - | 2 |
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | - | IGBT, N通道 MOSFET |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V，2.5V | 0.8V，2.5V | - | 0.8V，3V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 290mA，600mA | 290mA，600mA | - | 210mA，360mA |
| 输入类型 | Non-Inverting | Non-Inverting | - | Non-Inverting |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V | 600V | - | 600V |
| 通道数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+150℃ |
| 高度 | 1.75mm | 1.75mm | 1.45mm | 1.75mm |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | Yes |
| 品牌 | Infineon | Infineon | TFSS | Infineon |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
| 原始制造商 | - | - | TF Semiconductor Solutions | Infineon Technologies AG |
| 原产国家 | - | - | Germany | - |
| 元件生命周期 | - | - | Active | - |
| 输出类型 | - | - | - | - |
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